Arquitetura 4F Square em produção global pela primeira vez: fontes indicam que a Samsung superou o gargalo de DRAM de 10 nanômetros.
Samsung Avança na Próxima Geração de DRAM com Nova Arquitetura e Tecnologia VCT A Samsung anunciou ter produzido com sucesso amostras de DRAM utilizando uma nova arquitetura 4F Square e a tecnologia VCT (Vertical Channel Transistor). A novidade, divulgada pela mídia coreana The Elec, representa um marco na indústria de memória, sendo a primeira implementação … Ler mais