Samsung Avança na Próxima Geração de DRAM com Nova Arquitetura e Tecnologia VCT

A Samsung anunciou ter produzido com sucesso amostras de DRAM utilizando uma nova arquitetura 4F Square e a tecnologia VCT (Vertical Channel Transistor). A novidade, divulgada pela mídia coreana The Elec, representa um marco na indústria de memória, sendo a primeira implementação dessas tecnologias em um chip DRAM funcional. A produção em massa está prevista para 2028.

A arquitetura 4F Square é um avanço significativo no design de células de memória DRAM. O “F” representa a menor característica do processo de litografia, e a estrutura 4F (2F x 2F) permite acomodar mais células em uma mesma área de chip em comparação com o design tradicional 6F Square. Isso resulta em um aumento substancial na densidade de armazenamento, crucial para a miniaturização contínua da DRAM.

Complementando a arquitetura 4F Square, a tecnologia VCT inova na estrutura do transistor. Ao invés da configuração horizontal tradicional, o canal do transistor é disposto verticalmente, permitindo o empilhamento direto da capacitância de armazenamento sobre o transistor. Essa abordagem otimiza o espaço e supera as limitações das estruturas planas convencionais, abrindo caminho para uma maior densidade de células.

A nova geração de DRAM, conhecida como 10a, representa o primeiro passo para a produção de memórias com nós abaixo de 10nm, com larguras de linha efetivas entre 9.5 e 9.7nm. A Samsung estima que a arquitetura 4F Square aumentará a densidade das células em aproximadamente 30% a 50% em relação ao design 6F Square atual.

A implementação dessas novas tecnologias não é isenta de desafios. A Samsung está trabalhando na substituição do silício por óxido de zinco e gálio índio (IGZO) como material do canal para reduzir o vazamento de corrente e melhorar a retenção de dados. Além disso, a substituição do nitreto de titânio (TiN) por molibdênio (Mo) como material da linha (usado na fabricação das linhas de palavras da memória) está em avaliação, devido à corrosividade do molibdênio e à necessidade de adaptar os sistemas de transporte de gases.

Disponibilidade no Brasil: No momento, não há informações sobre a disponibilidade ou previsão de lançamento desses novos chips DRAM no mercado brasileiro. A tecnologia ainda está em fase de desenvolvimento e testes, e a chegada ao Brasil dependerá de diversos fatores, incluindo a demanda do mercado e as estratégias da Samsung.

📝 Nota do Especialista Tec Arena

A Samsung está demonstrando um compromisso contínuo com a inovação em memória DRAM. A combinação da arquitetura 4F Square com a tecnologia VCT representa um salto significativo em densidade e desempenho, pavimentando o caminho para futuras gerações de dispositivos com maior capacidade e eficiência energética. Embora a tecnologia ainda esteja distante do consumidor final, é crucial acompanhar esses avanços, pois eles impactarão diretamente a performance de smartphones, PCs e servidores no futuro.

Via: IT之家