Samsung retoma ritmo de P&D e planeja expansão em semicondutores após sucesso com HBM
Após consolidar sua posição e recuperar competitividade no mercado de memórias DRAM, com foco especial no segmento de alta demanda de HBM (High Bandwidth Memory), a divisão de Soluções de Dispositivos (DS) da Samsung Electronics deu início a discussões estratégicas para acelerar o desenvolvimento e o investimento em novas frentes de semicondutores. Segundo informações da mídia sul-coreana, a gigante da tecnologia busca retomar o protagonismo em áreas que, embora presentes em seu roteiro tecnológico, registraram um ritmo de avanço mais contido nos últimos anos.
O foco atual da companhia está voltado para quatro pilares principais: a próxima geração de memória flash NAND (V10), o desenvolvimento de semicondutores compostos, tecnologias de encapsulamento avançado e novas soluções de substratos. Com uma folga maior em seus recursos internos, a Samsung mira agora a próxima etapa de crescimento do setor.
O desafio da estagnação em V-NAND
O cenário para as memórias NAND da Samsung esteve em um hiato tecnológico por mais de dois anos. Desde a transição para a nona geração de V-NAND (286 camadas), com versões TLC e QLC que entraram em produção em massa entre abril e setembro de 2024, a empresa não introduziu um novo nó de processo para esta categoria. A estratégia agora é um salto agressivo para a arquitetura V10, que promete elevar a contagem de camadas para patamares superiores a 400. O objetivo central é otimizar a densidade de armazenamento e aumentar a capacidade produtiva por wafer, o que demandará uma série de inovações rigorosas nos processos de fabricação.
Vale ressaltar que, até o momento, não há informações sobre a disponibilidade imediata ou prazos de implementação dessas tecnologias específicas de fabricação de chips em unidades fabris ou laboratórios da Samsung no Brasil. A operação local da marca mantém seu foco principal no varejo de dispositivos de consumo, como smartphones e eletrodomésticos, conforme detalhado em seu portal oficial brasileiro.
Investimentos em semicondutores compostos
Além das memórias, a Samsung está reorganizando sua estratégia em componentes como o Nitreto de Gálio (GaN) e o Carboneto de Silício (SiC). Relatórios indicam que a empresa está avançando no projeto de linhas de produção de 8 polegadas, com projeções de início de operação a partir do segundo trimestre de 2026. Paralelamente, planos para o setor de fundição de SiC sugerem uma possível produção em larga escala para 2028, reforçando o compromisso da marca em diversificar seu portfólio diante da crescente demanda por componentes de alta eficiência energética.
Enquanto a indústria de hardware observa essas mudanças estruturais, setores adjacentes da engenharia continuam a evoluir em diferentes direções, explorando desde novas possibilidades em robótica e estruturas físicas — como visto em pesquisas recentes do MIT sobre componentes impressos em 3D — até a expansão das infraestruturas de dados globais.
Considerações finais
A decisão da Samsung de reinvestir em suas linhas de semicondutores reflete uma resposta natural à estabilização do mercado de chips. A transição para a tecnologia NAND de 400 camadas e a incursão em semicondutores compostos representam movimentos técnicos significativos que podem, a médio prazo, influenciar a disponibilidade e o custo de componentes em diversos setores da tecnologia. A trajetória da empresa nos próximos trimestres deve indicar o sucesso destas iniciativas e o quanto de sua capacidade de inovação será traduzida em produtos prontos para o mercado global.
Via: IT之家
